不过FB-DIMM也有美中不足之处:延迟较高。?通过Intel的模拟分析表明,FB-DIMM在低带宽应用时,潜伏期会比DDR2系统长。FB-DIMM延迟的数量为3—9纳秒,每增加一个节点还会另外增加2~6纳秒。FB-DIMM延迟之所以之主要由于两方面造成的:
一方面是由于采用串行的方式进行数据传输,存在串/并转换的过程需要占用一定的时钟周期,这也被称为“串行延迟”。总体上来说,串行延迟是FB-DIMM架构采用的数据传输方式所特有的,是不可避免的,无论如何都会出现。在FB-DIMM架构中,理论上可以通过提高工作频率来减少串行延迟的时间,而DDR2、DDR3内存的延迟时间却是随着频率提升而增加的。而且从XDR架构来看,这种串行延迟也不会对实际性能造成很大的影响!
另一方面是由于一块AMB缓冲芯片,信号必须先被缓冲读取,然后再被执行或者传递。这就带来一个缓冲延迟的问题。针对这一缺点,英特尔给出的解决办法是“信号无需存储,立即转发”。数据将在缓冲内部通过特殊的快速通道进行传输。这将在很大程度上减小存储/转发信号带来的延迟。
此外,FB-DIMM还能够在不同的通道上对内存进行读写,能够实现标准的共享总线架构所不能实现的一些操作。各个内存插槽可以独立运作,一部分用于读取,另一部分用于写入,这样就没有因为切换读取和写入动作所造成的延迟了。最后一点是在FB-DIMM架构中,DRAM和内存通道是同步运行的。当内存和内存通道不同步运行时,延迟也会增加,事情也会变得更为复杂。这样的复杂性会为厂商带来难题,并且会降低内存的性能。
FB-DIMM架FB-DIMM与DDR的延迟/带宽坐标图:带宽越高,FB-DIMM的延迟越低
而且当单条模组的带宽达到4GB/S时,DDR2内存的延迟时间与FB-DIMM是一样的,此后随着带宽的增加,DDR2的延迟会渐渐增加,而FB-DIMM的延迟却呈下降的趋势。这也从别一方面证明FB-DIMM非常适合用于高端系统的内存体系。